晶体生长工艺
  直拉法的基本工艺过程是将高纯多晶硅块和微量的掺杂剂放置在石英坩埚中，在真空或高纯氩气气氛中加热融化，控制适当的温度，将籽晶插入熔体，使熔融多晶硅按籽晶的硅原子排列顺序结晶凝固成单晶硅。晶体生长工艺包括熔化、缩颈、放肩、等经、收尾等步骤。
区熔法属于无坩埚法的一种，该法显著的特点是不用坩埚盛装熔融硅，而是依靠在高频电磁场作用下硅的表面张力和电磁力支撑局部融化的硅液，因此又称为悬浮区熔法，区熔提纯的原理是根据熔化的晶体再结晶过程杂质在固相和液相中的浓度不同而达到提纯的目的。

                                                                     拉晶车间


                                                                拉晶
 

                                                        线切